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L’IGBT EN COMMUTATION : ANALYSE DU COMPORTEMENT DYNAMIQUE ET EVALUATION DES TECHNIQUES DE COMMANDE RAPPROCHÉE
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Moh’d Khair M. CHEIKH
|
Univ. |
Aix-Marseilles |
Spéc. |
Génie Electrique |
Deg. |
Year |
#Pages |
|
D.N.R. |
1995 |
172 |
Parmi les interrupteurs de puissance, le transistor bipolaire à Grille isolée IGBT a connu ces dernières années un développement exceptionnel grâce à des bonnes performances dynamiques et une commande peu dissipative . Le but de ce travail s’inscrit dans l’étude de ces deux aspects pour des cellules de commutation caractéristiques .
Le comportement dynamique de L’IGBT est analysée par rapport à une attaque de Grille en tension et en courant . L’interprétation fine des différentes phases de la commutation a mis en évidence l’influence des éléments parasites propres au composant (capacitifs) ou dus au câblage (inductifs) dans les deux configurations proposées .
En ce qui concerne la commande de Grille, une approche méthodologique de celle-ci a été proposée . L’analyse systématique différents des circuits élémentaires d’attaque correspondant est réalisée . Les performances de ces derniers sont évaluées en fonction de la vitesse de commutation de L’IGBT et des pertes dissipées . Une stratégie de commande est dégagée afin d’optimiser la fermeture de ce composant .
En conclusion, l’ensemble de cette étude représente une contribution à la synthèse des circuits de commande rapprochée basée sur l’analyse, la simulation de type SPICE et la validation expériementale .
